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名称:硒化铟晶体;indium selenide crystal
分子式: In2Se3 
CAS号:

性质:周期表iII、Ⅵ族化合物半导体共价键结合,有离子键成分。低温为闪锌矿型结构晶格常数0.536nm。高温时为铅锌矿型结构,晶格常数0.711nm。禁带宽度1.3eV,一般为n型材料,电子迁移率3×10-3m2/(V·s)。密度5.67g/cm3,熔点890℃。采用布里奇曼法、直拉法制备。

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