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名称:硒化铋晶体;bismuth selenide crystal
分子式:Bi2Se3 
CAS号:

性质:周期表第V、Ⅵ族化合物半导体。三角晶系,原胞为菱形六面体。包含硒(1)铋硒(2)铋硒(1)五个原子。晶格常数0.9841nm,d=24°61′。共价键结合,但有一定的离子键成分。密度5.6g/cm3。熔点706℃。导带极小值位于布里渊区中心。为间接带隙半导体,电子有效惯性质量0.124m。禁带宽度0.145V。电子迁移率6×10-2m2(V·s)。电阻率2×10-5Ω。塞贝克系数200μV/K。热导率1.4W/(m·K)。采用布里奇曼法、直接法区域熔炼法制备。为温差电材料。

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